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인피니언, 에너지 효율·전력밀도 높인 CoolSiC MOSFET 650V 제품군 출시

기사입력 2020.03.05 10:51
서버·텔레콤·모터드라이브·EV 충전 등에 적합
고주파수 스위칭 효율 및 열 동작 우수성 제공


에너지 효율, 전력 밀도 향상에 대한 수요가 높아지는 추세에 맞춰 인피니언 테크놀로지스가 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다.

이번에 출시되는 CoolSic MOSFET은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리 포메이션, UPS, 모터 드라이브, EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다.


▲ CoolSiC MOSFET 650V 제품군 <이미지=인피니언 테크놀로지스>

27mΩ에서 107mΩ에 이르는 온 저항(RDS(ON)) 정격을 갖춘 이번 제품은 표준 TO 247 3핀뿐만 아니라TO 247 4핀 패키지로도 제공돼 스위칭 손실을 더욱 낮췄다.

기존에 출시된 CoolSic MOSFET 제품처럼 이번 650V 제품도 인피니언의 최신 트렌치 반도체 기술을 채택했다. SiC의 뛰어난 물리적 특성을 극대화해 높은 신뢰성과 동급 최상의 스위칭 및 전도 손실력을 갖췄다.

뿐만 아니라 최고의 트랜스컨덕턴스 레벨(증폭율), 4V 문턱 전압(Vth), 단락회로 견고성 등을 갖췄으며 트렌치 기술은 애플리케이션 손실을 최소화하는 동시에 가동 시 최고의 신뢰성을 달성한다.

650V CoolSic MOSFET은 시중의 다른 실리콘이나 실리콘 카바이드 솔루션 대비 고주파수 스위칭 효율과 뛰어난 신뢰성 등을 제공하는 것은 물론 온도에 대한 온 상태 저항(RDS(ON)) 종속성이 매우 낮아 열 동작이 우수하다.

견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합해 매우 낮은 역 복구 전하(QRR)를 유지하는데 가장 우수한 수퍼정션 CoolSic MOSFET 대비 약 80% 더 낮다. 정류 견고성도 우수해 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용해서 손쉽게 98%의 전체 시스템 효율을 달성할 수 있다.

인피니언은 CoolSic MOSFET 650V 제품을 사용해 애플리케이션을 쉽게 설계하고 최대 성능을 달성할 수 있도록 1채널 및 2채널 전기적 절연형 EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 제공한다.

CoolSiC 스위치와 전용 게이트 드라이버 IC를 결합한 솔루션으로 개발자들은 시스템 비용과 총소유비용을 낮추는 동시에 에너지 효율을 높일 수 있다. CoolSic MOSFET은 인피니언 EiceDRIVER 게이트 드라이버 제품군의 다른 IC와도 원활하게 작동된다.

스테판 메츠거 인피니언 전력관리 사업부 선임 이사는 “CoolSic 650V 제품을 추가함으로써 인피니언은 600V 및 650V 전력대의 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 기반 전력 반도체 포트폴리오를 완성하게 됐다”고 밝혔다.
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