플래너 대신 트렌치 MOSFET 구조 채택한
8mΩ/150A 정격 1200V 하프 브리지 모듈


전기차 구동부에 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하면 전력 효율·밀도·성능을 높일 수 있다. 특히 배터리 용량이 늘어날수록 SiC 소자가 인버터 효율을 높여 주행거리를 늘린다.

인피니언 테크놀로지스는 7일, CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술을 채택한 EasyPACK 모듈을 출시했다. 새로운 모듈은 8mΩ/150A 전류 정격의 1200V 하프 브리지 모듈이다.

HV/HV DC-DC 스텝 업 컨버터, 다중위상 인버터, 연료전지 컴프레서 같은 고속 스위칭 보조 드라이브 등에 적합한 새로운 모듈은 인피니언의 SiC 트렌치(trench) MOSFET 구조를 기반으로 한다. 플래너(planer) 구조와 비교했을 때 트렌치 구조는 더 높은 셀 밀도가 가능하다. 낮은 게이트 산화막 전계 강도에서도 동작할 수 있어 신뢰성도 높다.

CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술은 부분 부하 조건에서 전도 손실을 최소화하도록 설계되었다. 여기에 SiC MOSFET의 낮은 스위칭 손실이 결합하여 인버터 동작 시 손실을 실리콘 IGBT 대비 60%까지 낮출 수 있다.

AQG 324 표준을 충족하는 EasyPACK CoolSiC 자동차용 MOSFET 모듈 FF08MR12W1MA1_B11A는 양산을 시작했으며 2020년 9월부터 유통 업체를 통해 구매할 수 있다.