Infineon
  • HOME
  • News
  • Webinars

인피니언, 산업표준 62mm 패키지 SiC MOSFET 발표

기사입력 2020.07.16 15:41
62mm 산업 표준 패키지 SiC MOSFET 모듈
스위칭 손실과 전도 손실 낮아 소형화 수월



인피니언 테크놀로지스는 16일, CoolSiC MOSFET 1200V 모듈 제품군에 62mm 산업 표준 패키지를 추가한다고 밝혔다.
▲ 1200V CoolSiC MOSFET 62mm 모듈 [사진=인피니언]

실리콘(Si)으로 제작된 기존 62mm IGBT 모듈과 달리 실리콘 카바이드(SiC)로 제작된 CoolSiC 62mm 모듈은 태양광, 서버, 에너지 저장, EV 충전기, 트랙션, 상업용 인덕션 쿠킹, 전력 변환 시스템 등의 애플리케이션에 사용할 수 있다.

CoolSiC 62mm 모듈은 스위칭 손실과 전도 손실이 낮다. 높은 스위칭 주파수에서 디바이스를 작동하면 더 작은 수동소자 부품을 사용할 수 있다. 따라서 더 작은 크기의 인버터 디자인을 설계할 수 있고, 전반적인 시스템 크기와 비용을 줄일 수 있다.

베이스 플레이트와 스크루 연결로 하우징이 기계적으로 견고하여 높은 시스템 가용성, 즉 낮은 수리 비용 및 적은 가동 중단을 가능하게 한다.

열 사이클링 성능이 우수하며, 150°C(Tvjop) 연속 동작 온도로 신뢰성이 높고, 하우징 내부의 대칭 설계로 상측 스위치와 하측 스위치에 같은 스위칭 조건이 가능하다. TIM(Thermal interface material)을 적용한 모듈을 사용하면 열 성능을 더욱 높일 수 있다.

62mm 패키지 CoolSiC MOSFET 1200V 제품은 6mΩ/250A, 3mΩ/357A, 2mΩ/500A 구성으로 제공된다.
목록으로

관련뉴스

image

인피니언, 오스트리아 300mm 웨이퍼 GaN 양산 시설 구축

인피니언이 오스트리아 빌라흐에 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력반도체 양산 시설을 구축한다. 2027년 말 생산 개시를 목표로 2034년까지 11억 유로를 투자하며, EU 집행위원회로부터 3억1,900만 유로의 지원을 확보했다. 300mm 웨이퍼는 200mm 대비 칩...

2026.10.28 by 배종인 기자

image

인피니언, 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터 GaN 전력 협력

인피니언과 엔비디아가 AI 데이터센터 전력 아키텍처 협력을 확대했다. 800VDC 기반 고전압 중간버스 변환기(IBC) 단계에 질화갈륨(GaN) 기반 시스템 솔루션을 적용해 메가와트급 전력 공급을 효율적으로 처리한다. GaN은 높은 스위칭 속도와 낮은 손실로 전력 밀도...

2026.10.22 by 배종인 기자

image

인피니언, AI 서버용 27kW 3상 PSU 솔루션 출시

인피니언이 AI 서버용 27kW 3상 전원공급장치 레퍼런스 디자인을 출시했다. CoolSiC MOSFET, PSOC 마이크로컨트롤러 등 자사 부품을 통합해 116W/in³의 전력 밀도와 98% 이상의 피크 효율을 동시에 구현했다. OCP Open Rack V3 규격을 ...

2026.10.12 by 배종인 기자

image

인피니언, 태국에 신규 반도체 후공정 공장 개소…AI·전동화 수요 대응 생산능력 확대

인피니언(infineon)이 태국 방콕 인근에 신규 후공정 제조 시설을 개소하고 글로벌 반도체 생산 역량과 공급망 안정성을 강화했다.

2026.10.01 by 배종인 기자

image

마우저, 대체 에너지 리소스 센터 개설

마우저 일렉트로닉스가 분산형 에너지 시스템 설계를 지원하는 대체 에너지 리소스 센터를 개설했다. 재생에너지·에너지 하베스팅·스마트 그리드 분야의 기술 콘텐츠와 설계 인사이트를 제공하며, e-peas, Infineon, TE Connectivity, Schneider E...

2026.09.29 by 배종인 기자

Copyright © 2026 Ch5 e4ds News. All Rights Reserved