Infineon
  • HOME
  • News
  • Webinars

인피니언, 2세대 StrongIRFET 80/100V MOSFET 공개

기사입력 2021.03.19 10:00
인피니언, 2세대 StrongIRFET 기술 발표
UPS, SMPS, 모터 드라이브 등에 적합
TO-220 이외의 패키지 추후 출시



인피니언은 18일, 차세대 80V 및 100V 전력 MOSFET 기술인 StrongIRFET™ 2를 출시한다고 밝혔다. 현재 TO-220 패키지 제품의 주문이 가능하며, 향후 TO-220 FullPAK, D2PAK, D2PAK 7핀, DPAK 패키지 제품이 추가될 예정이다.
▲ 2세대 StrongIRFET 제품 출시 [사진=인피니언]

낮은 스위칭 주파수와 높은 스위칭 주파수 모두에 최적화됐고, 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있어 설계 유연성이 높다. SMPS, 모터 드라이브, 배터리로 구동되는 공구, 배터리 관리, UPS, 경전기차(LEV) 등의 애플리케이션에 적합하다.

StrongIRFET 2 기술은 이전 세대와 비교해서 RDS(on)이 40% 향상됐고, Qg가 50% 이상 낮아 더 높은 전력 효율로 전반적인 시스템 성능을 향상한다. 높아진 전류 정격은 전류 전달 능력을 높이므로 병렬로 여러 개의 디바이스를 사용할 필요가 없다. 따라서 BOM 비용을 줄이고 보드 공간을 절약한다.
목록으로

관련뉴스

image

인피니언, 오스트리아 300mm 웨이퍼 GaN 양산 시설 구축

인피니언이 오스트리아 빌라흐에 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력반도체 양산 시설을 구축한다. 2027년 말 생산 개시를 목표로 2034년까지 11억 유로를 투자하며, EU 집행위원회로부터 3억1,900만 유로의 지원을 확보했다. 300mm 웨이퍼는 200mm 대비 칩...

2026.10.28 by 배종인 기자

image

인피니언, 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터 GaN 전력 협력

인피니언과 엔비디아가 AI 데이터센터 전력 아키텍처 협력을 확대했다. 800VDC 기반 고전압 중간버스 변환기(IBC) 단계에 질화갈륨(GaN) 기반 시스템 솔루션을 적용해 메가와트급 전력 공급을 효율적으로 처리한다. GaN은 높은 스위칭 속도와 낮은 손실로 전력 밀도...

2026.10.22 by 배종인 기자

image

인피니언, AI 서버용 27kW 3상 PSU 솔루션 출시

인피니언이 AI 서버용 27kW 3상 전원공급장치 레퍼런스 디자인을 출시했다. CoolSiC MOSFET, PSOC 마이크로컨트롤러 등 자사 부품을 통합해 116W/in³의 전력 밀도와 98% 이상의 피크 효율을 동시에 구현했다. OCP Open Rack V3 규격을 ...

2026.10.12 by 배종인 기자

image

인피니언, 태국에 신규 반도체 후공정 공장 개소…AI·전동화 수요 대응 생산능력 확대

인피니언(infineon)이 태국 방콕 인근에 신규 후공정 제조 시설을 개소하고 글로벌 반도체 생산 역량과 공급망 안정성을 강화했다.

2026.10.01 by 배종인 기자

image

마우저, 대체 에너지 리소스 센터 개설

마우저 일렉트로닉스가 분산형 에너지 시스템 설계를 지원하는 대체 에너지 리소스 센터를 개설했다. 재생에너지·에너지 하베스팅·스마트 그리드 분야의 기술 콘텐츠와 설계 인사이트를 제공하며, e-peas, Infineon, TE Connectivity, Schneider E...

2026.09.29 by 배종인 기자

Copyright © 2026 Ch5 e4ds News. All Rights Reserved