EiceDRIVER ED2110S06M 및 2ED2101/03/04
부트스트랩 다이오드 모놀리식 방식으로 통합
신뢰성 위해 네거티브 트랜션트 전압 내성 높여


인피니언 테크놀로지스는 13일, 신규 EiceDRIVER™ 650V 하프브리지 및 상측/하측 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다. SMPS, UPS, 산업용 드라이브, 임베디드 인버터, 가전, 전동 공구, 팬과 펌프의 모터 제어 애플리케이션에 적합하다.

인피니언 SOI(silicon-on-insulator) 기술 기반의 신제품들은 네거티브 트랜션트 전압 내성이 높다. 부트스트랩 다이오드를 모놀리식 방식으로 통합해 BOM을 줄이며, MOSFET과 IGBT를 포함하는, 소형의 견고한 폼 팩터 설계를 지원한다.

2.5A 고전류 드라이버, EiceDRIVER ‘2ED2110S06M’은 DSO-16W 패키지로 제공되며, 0.7A 저전류 드라이버 EiceDRIVER ‘2ED2101/03/04’는 DSO-8 패키지로 제공된다. 90ns 전달 지연과 10ns 최대 지연 매칭으로 기존 모터 제어 애플리케이션뿐만 아니라 500kHz 대의 고주파수 스위칭을 지원한다.

특히 2ED2110S06M은 셧다운 기능, 개별적 로직, 전원 접지가 특징으로, 내장된 부트스트랩 다이오드는 36Ω 전격 온저항으로 빠른 역회복 특성을 제공한다.

-100V의 반복적인 300ns 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성으론 신뢰성을, 크로스 컨덕션(cross-conduction) 로직을 사용한 데드 타임 기능과 상하측 전원에 대한 독립적인 게이트 저전압 록아웃(UVLO) 기능으론 안전성을 달성했다.

전 세대 제품 ‘IR(S)2110/2113S’와 ‘IR(S)2101/03/04S’를 대체하는 650V 게이트 드라이버는 2kV HBM ESD 정격 산업 표준 패키지로 제공되며, 주문 가능하다.