Infineon
  • HOME
  • News
  • Webinars

인피니언, 정적 스위칭에 최적화된 600V MOSFET 출시

기사입력 2021.04.20 16:14
인피니언, CoolMOS S7 10mΩ, SSR 적합
CoolMOS S7A, 고전력 고성능 전장 충족
TSC QDPAK SMD 패키지로 전도 손실 줄여



인피니언 테크놀로지스는 20일, 정적 스위칭 애플리케이션에 적합한 산업용 600V ‘CoolMOS™ S7 10mΩ’ 제품과 차량용 ‘CoolMOS S7A’ 제품을 출시했다.
▲ QDPAK 600V CoolMOS™ S7 [사진=인피니언]

CoolMOS S7 10mΩ은 600V 수퍼정션 MOSFET으로, 온저항(RDS(on))이 낮아 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)처럼 전도 손실 최소화가 요구되는 애플리케이션에 적합하다. CoolMOS S7A는 고전압 e퓨즈 및 e디스커넥트 배터리 차단 스위치, 온보드 충전기 같은 자동차 애플리케이션의 고전력 고성능 설계를 위한 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB) 및 다이오드 병렬화와 교체 요구사항을 충족한다.

두 제품은 상단 냉각(TSC) QDPAK SMD 패키지를 채택해 TO-247 같은 THD 제품보다 작다. THD에서 QDPAK 표면실장 제품으로 전환하면 높이를 94% 낮출 수 있어 전력 밀도를 높일 수 있다. 또한, 전도 손실이 낮아 설계자는 방열판 크기를 80% 축소하고, 폼 팩터 변경 없이도 전류와 전압의 정격을 높일 수 있다.

CoolMOS S7 10mΩ 및 S7A 제품은 현재 주문할 수 있다.
목록으로

관련뉴스

image

인피니언, 오스트리아 300mm 웨이퍼 GaN 양산 시설 구축

인피니언이 오스트리아 빌라흐에 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력반도체 양산 시설을 구축한다. 2027년 말 생산 개시를 목표로 2034년까지 11억 유로를 투자하며, EU 집행위원회로부터 3억1,900만 유로의 지원을 확보했다. 300mm 웨이퍼는 200mm 대비 칩...

2026.10.28 by 배종인 기자

image

인피니언, 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터 GaN 전력 협력

인피니언과 엔비디아가 AI 데이터센터 전력 아키텍처 협력을 확대했다. 800VDC 기반 고전압 중간버스 변환기(IBC) 단계에 질화갈륨(GaN) 기반 시스템 솔루션을 적용해 메가와트급 전력 공급을 효율적으로 처리한다. GaN은 높은 스위칭 속도와 낮은 손실로 전력 밀도...

2026.10.22 by 배종인 기자

image

인피니언, AI 서버용 27kW 3상 PSU 솔루션 출시

인피니언이 AI 서버용 27kW 3상 전원공급장치 레퍼런스 디자인을 출시했다. CoolSiC MOSFET, PSOC 마이크로컨트롤러 등 자사 부품을 통합해 116W/in³의 전력 밀도와 98% 이상의 피크 효율을 동시에 구현했다. OCP Open Rack V3 규격을 ...

2026.10.12 by 배종인 기자

image

인피니언, 태국에 신규 반도체 후공정 공장 개소…AI·전동화 수요 대응 생산능력 확대

인피니언(infineon)이 태국 방콕 인근에 신규 후공정 제조 시설을 개소하고 글로벌 반도체 생산 역량과 공급망 안정성을 강화했다.

2026.10.01 by 배종인 기자

image

마우저, 대체 에너지 리소스 센터 개설

마우저 일렉트로닉스가 분산형 에너지 시스템 설계를 지원하는 대체 에너지 리소스 센터를 개설했다. 재생에너지·에너지 하베스팅·스마트 그리드 분야의 기술 콘텐츠와 설계 인사이트를 제공하며, e-peas, Infineon, TE Connectivity, Schneider E...

2026.09.29 by 배종인 기자

Copyright © 2026 Ch5 e4ds News. All Rights Reserved