최신 드레인-다운 패키지 대비 RDS(on) 최대 30퍼센트 감소

 

디바이스의 전체 성능을 제한하는 패키지로 인한 손실을 줄이고 시스템 차원에서 공간을 약 65퍼센트 줄일 수 있는 전력 MOSFET이 출시된다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 11일 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET을 출시한다고 밝혔다.

이들 제품은 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공된다.

MOSFET 성능에 있어서 새로운 기준을 제시하는 이 패키지는 더 높은 효율, 전력 밀도, 우수한 열 관리 및 낮은 BOM(bill of material)을 제공한다.

이는 모터 드라이브, 서버와 텔레콤 용 SMPS, OR-ing 및 배터리 관리 시스템 등의 애플리케이션에 적합하다.

표준 드레인-다운(Drain-Down) 컨셉과 비교해서 최신 소스-다운(Source-Down) 패키지 기술은 동일한 패키지 아웃라인에 더 넓은 실리콘 다이 탑재가 가능하다.

디바이스의 전체 성능을 제한하는 패키지로 인한 손실을 줄였기 때문에 최신 드레인-다운 패키지 대비 RDS(on)을 최대 30퍼센트까지 줄일 수 있다.

시스템 차원에서는 SuperSO8 5mm x 6mm 풋프린트를 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 교체하면 공간을 약 65퍼센트 줄일 수 있어 폼팩터를 축소할 수 있다.

이때 남는 공간을 효과적으로 활용해서 최종 시스템의 전력 밀도와 시스템 효율을 높일 수 있다.

또한 소스-다운 컨셉에서는 열을 본드 와이어나 구리 클립 대신 열 패드를 통해 PCB로 직접 소산시킨다.

이로 인해 열 저항 RthJC를 1.8K/W에서 1.4K/W로 20퍼센트 이상 향상시켜 열 관리를 간소화할 수 있다.

인피니언은 소스-다운 표준 게이트와 소스-다운 센터 게이트, 총 두 가지 풋프린트 버전과 레이아웃 옵션을 제공한다.

표준 게이트 레이아웃은 드레인-다운 패키지의 드롭인 교체를 단순화하고, 센터 게이트 레이아웃은 병렬화를 수월하게 한다.

이 두 가지 옵션은 PCB에서 최적의 디바이스 배치, PCB 기생성분 최적화 및 사용 편의성을 제공한다.