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인피니언, SiC·GaN 20억유로 투자…전력 반도체 리더십 강화

기사입력 2022.02.21 14:53



 
말레이시아 쿨림 공장 세 번째 모듈 건설
SiC 10억불·GaN 8억100만불 성장 목표

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 생산능력 향상을 통해 전력 반도체 시장 리더십을 강화한다.

인피니언은 21일 말레이시아 쿨림 공장에 20억유로 이상을 투자해 세 번째 모듈을 건설한다고 밝혔다.

새로운 모듈이 완공되면 SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억유로의 추가 매출이 창출될 것으로 기대된다.

인피니언은 이미 3,000개 이상의 고객사에 SiC 제품을 공급하고 있다. SiC 반도체는 실리콘 기반 솔루션에 비해 효율·크기·비용 면에서 더 나은 시스템 성능을 제공하며, 산업용 전원 공급 장치·태양광·운송·드라이브·자동차 및 EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다.

인피니언은 2020년대 중반까지 SiC 기반 전력 반도체 10억달러 매출을 목표로 하고 있다. GaN 시장도 2020년 4,700만달러에서 2025년 8억100만달러로 크게 성장할 것으로 예상한다. 인피니언은 첨단 시스템 및 애플리케이션에 대한 이해와 광범위한 GaN IP 포트폴리오 및 대규모 R&D 인력을 보유하고 있다.

팹은 6월에 착공해 2024년 여름 장비 준비가 완료되며, 2024년 하반기에 웨이퍼 공급을 시작할 예정이다.
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