M1H칩은 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션과 ESS 시스템 등 다양한 산업용 애플리케이션에 활용돼 높은 견고성과 전력 밀도 등이 고려되는 곳에 선택될 수 있다.
 
인피니언 테크놀로지스는 21일 새로운 CoolSiC 기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 발표했다.
 
첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 예정이다. 유연성이 뛰어난 M1H칩은 △태양광 에너지 시스템의 인버터 같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션 △급속 EV 충전 △에너지 저장 시스템 △다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다.
 
CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위가 가능해 주어진 다이 크기로 온저항(impedance 임피던스)을 향상시킨다.
 
또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되기에 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.
 
■ Easy모듈로 전력 밀도 향상
 
널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상시키게 됐다. 더불어 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시를 예고했다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높여 다양한 제품 포트폴리오를 제공한다. M1H칩을 사용해 모듈의 온저항을 향상시키고 디바이스 신뢰성과 효율을 높이는 데 활용할 수 있다.
 
175°C의 최대 접합부 온도는 향상된 과부하 성능으로 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높인다. 앞서 출시된 M1과 비교했을 때 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화하고 동적 동작은 변함이 없다.
 
■ 온저항이 매우 낮은 디스크리트 패키지 제품 CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온 저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리할 뿐 아니라 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다.
 
XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용돼 있으며, TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30퍼센트 이상 향상시킨다. 이러한 열적 이점은 출력 전력을 15퍼센트까지 높일 수 있으며 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있다. 이를 통해 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 절감할 수 있다.
 
시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능은 향상시키고 시스템 수명은 늘린다. 이러한 부분이 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요한 요소로 기능한다.
 
모듈 및 디스크리트 제품에 관한 추가 정보는 www.infineon.com/sic-mosfet에서 볼 수 있다.