메가트렌드 전환으로 인한 전기 소비 증가에 대응
ESS·배터리 포메이션 솔루션서 에너지 손실 최소화
 

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 디지털화, 도시화, e-모빌리티 같은 메가트렌드로의 전환으로 인한 전기 소비 증가에 대응할 수 있는 SiC 기반 MOSFET을 선보였다. 

인피니언은 TOLL(TO leadless) 패키지를 적용한 CoolSiC™ MOSFET 650V 제품군을 출시했다고 28일 밝혔다.

새로운 SiC MOSFET은 인피니언의 포괄적인 CoolSiC 포트폴리오를 더욱 강화하며, 서버, 텔레콤 인프라, 에너지 저장 시스템, 배터리 포메이션 솔루션 등의 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 최고의 신뢰성을 달성하며 사용 편의성을 높이도록 설계되었다.

CoolSiC 650V 고성능 트렌치 기반 SiC MOSFET은 다양한 애플리케이션을 지원하도록 다양한 구성으로 제공된다. 

JEDEC 인증 TOLL 패키지의 새로운 제품군은 낮은 기생 인덕턴스를 특징으로 하여, 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 우수한 열 관리 및 자동 어셈블리를 가능하게 한다. 

컴팩트한 폼팩터로 보드 공간을 효율적이고도 효과적으로 사용할 수 있어 시스템 디자이너는 우수한 전력 밀도를 달성할 수 있다.

650V CoolSiC MOSFET은 가혹한 환경에서 매우 우수한 신뢰성을 가져, 반복적으로 하드 정류를 하는 토폴로지에 적합하다.

내장된 혁신적인 .XT 인터커넥트 기술은 열 저항(Rth)과 열 임피던스(Zth)를 낮춤으로써 디바이스 열 성능을 향상시킨다.

또한 기생 턴온에 대한 견고성을 위해 4V 이상의 문턱전압(VGS(th)), 견고한 바디 다이오드, 업계에서 가장 강력한 게이트 산화막(GOX)을 제공하여, FIT(failures in time) 레이트가 매우 낮다.

일반적으로 구동 회로를 간소화하기 위해서 0V의 컷오프 전압(VGS(off))이 권장되는데(유니폴라 구동), 이 새로운 제품군은 -5V(턴오프)에서 23V(턴온)까지 넓은 범위의 VGS 전압을 지원한다.

그럼으로써 사용 편의성을 높이고, 다른 SiC MOSFET 및 표준 MOSFET 게이트 드라이버 IC와의 호환을 가능하게 하며 신뢰성, 자동 어셈블리, 낮은 시스템 복잡성을 바탕으로 시스템 및 생산 비용을 낮추고 시장 출시 기간을 단축하도록 한다.