前 세대 比 MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선·품질 및 신뢰성은 유지
전기차 DC 급속 충전기에 사용 시 전 세대 比 전력 손실 최대 10% 감소

 

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한 SiC 기반 MOSFET 기술을 시장에 내놓는다.

인피니언은 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여할 수 있는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술, CoolSiC™ MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품을 출시한다고 11일 밝혔다. 

CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성하여 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 

전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 

트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있고, 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다.

고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. 

또한 XT 패키징 기술을 결합하여 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다.

인피니언은 실리콘, SiC, GaN을 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. 

SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 하여 탈탄소화에 기여한다.