2,000V의 항복 전압으로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있는 실리콘카바이드(SiC) 신제품이 출시돼 에너지 저장 장치 및 전기차 충전 애플리케이션에 사용이 높을 것으로 기대된다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다.

신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다.

CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다.

신제품은 2,000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14㎜, 공간거리 5.4㎜의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다.

이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 이상적이다.

CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1,500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다.

1,700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1,500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다.

이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션(hard co㎜utation)을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다.

또한 .XT 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다.

CoolSiC MOSFET 2,000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 EVAL-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다.

개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작(Double pulse test) 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다. 추가 정보는 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes에서 볼 수 있다.