인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 파워 GaN 웨이퍼 기술 개발에 성공하며, 200㎜ 웨이퍼 대비 더 많은 칩 생산으로 생산성과 효율성을 끌어올린다.

인피니언은 업계 최초로 300㎜ 파워 GaN(갈륨 나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 11일 발표했다.

이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것으로 전망된다.

300㎜ 웨이퍼는 200㎜ 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 생산성과 효율성이 크게 향상된다.

GaN 기반 전력 반도체는 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 모터 제어 시스템 등 산업, 자동차, 컨슈머, 컴퓨팅 및 통신 애플리케이션에서 빠르게 채택되고 있다.

최첨단 GaN 제조 공정은 디바이스 성능 향상으로 이어져 고객의 애플리케이션에서 효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점을 제공한다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것이다. 이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것이다. 인피니언은 Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드), GaN을 모두 공급하는 전력 시스템 분야의 리더”라고 말했다.

인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300㎜ 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300㎜ GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다.

인피니언은 기존 300㎜ 실리콘과 200㎜ GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며, 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

300㎜ GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 매우 유사하기 때문에 기존 300㎜ 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 것이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300㎜ 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있다.