인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 업계 최초로 쇼트키 다이오드를 통합한 산업용 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 트랜지스터 CoolGaN™ G5 시리즈를 공개하며 전력 시스템 설계의 복잡성을 줄이고 효율성을 극대화할 새로운 기술을 선보였다.

새롭게 발표된 CoolGaN G5 트랜지스터는 중전압 애플리케이션에서 불필요한 데드타임 손실을 줄이고, 효율적인 전력 시스템을 구축할 수 있도록 설계됐다.

기존 GaN 기술은 더 높은 유효 바디 다이오드 전압(VSD)로 인해 전력 손실이 발생하거나, 컨트롤러 데드타임 문제로 효율에 제약이 있었다.

이를 해결하기 위해 설계자들은 외부 쇼트키 다이오드를 추가하거나 컨트롤러를 수정해야 했지만, 이는 추가적인 시간과 비용을 요구해 비효율적이었다.

CoolGaN G5 트랜지스터는 쇼트키 다이오드를 내장해 이러한 설계의 복잡성을 제거하며, 서버 및 통신용 IBC, DC-DC 컨버터, USB-C 배터리 충전기, 고출력 전원공급장치(PSU), 모터 드라이브 등 다양한 애플리케이션에 적합하다.

특히 GaN 트랜지스터의 고유한 설계 제약인 역전도 전압(VRC)의 제한을 극복하며, 설계 유연성을 제공한다.

이 제품은 역전도 손실을 낮추고 하이사이드 게이트 드라이버와의 호환성을 확대해 최적의 설계를 구현한다.

첫 제품은 100V 1.5mΩ의 GaN 트랜지스터로, 3x5mm 크기의 PQFN 패키지로 제공된다.

이러한 초소형 설계는 전력 밀도를 증가시키며, 시스템의 크기와 무게를 줄여 고성능 전력 장치에 이상적이다.

또한 통합형 쇼트키 다이오드는 컨트롤러와의 호환성을 향상시켜 추가적인 설계 비용을 줄이고 BOM(Bill of Material) 비용을 절감한다.

인피니언 측은 “CoolGaN G5 시리즈는 전력 전자 설계의 복잡성을 줄이고, 효율성 및 성능을 극대화하는 데 초점을 맞춘 제품”이라며 “산업용 전력 전자 시장에서 혁신적인 변화를 이끌어갈 것”이라고 강조했다.