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인피니언, 고전력밀도 저전력 고전압 MOSFET 출시

기사입력 2018.09.07 07:01
수요 따라 950V 고전압 MOSFET 출시
낮은 VGS(th) 오차, MOSFET 설계 쉬워

인피니언 950V CoolMOS P7 수퍼정션 MOSFET

인피니언 테크놀로지스는 6일, 고전력밀도 저전력 SMPS 디자인을 위한 고전압 MOSFET에 대한 시장 수요의 증가에 발맞춰 새로운 950V CoolMOS P7 수퍼정션 MOSFET을 출시했다. 

이 제품은 조명, 스마트미터, 모바일 충전기, 노트북 어댑터, 보조 전원장치, 산업용 SMPS 애플리케이션의 디자인 요구 사항을 충족한다. 950V CoolMOS P7은 열 성능과 효율이 우수하고 BOM(bill of materials)과 시스템 비용을 낮춘다.  
 
950V CoolMOS P7 DPAK제품은 RDS(on)이 우수하여 기존보다 높은 밀도의 디자인을 달성할 수 있다. VGS(th)가 뛰어나고 VGS(th) 오차가 낮으므로 MOSFET 구동과 설계가 쉽다. 또한 P7 제품군의 다른 제품들과 마찬가지로 제너 다이오드 ESD 보호 기능을 통합했다. 이로써 어셈블리 수율은 높이고, 비용도 절감하며, ESD 관련 생산 문제를 줄일 수 있다.
 
또한 950V CoolMOS P7 제품은 최대 1%까지 더 높은 효율과 2°C~10°C 더 낮은 MOSFET 온도로 효율적인 디자인을 가능하게 한다. 또한 이전 세대 CoolMOS 제품군과 비교해서 스위칭 로스가 최대 58% 낮다.
 
950V CoolMOS P7 제품은 TO-220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK, SOT-223 패키지로 제공된다. 따라서 THD에서 SMD 제품으로 전환이 가능하다.
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