인피니언, Si, SiC, GaN 전력 기술 제공
CoolGaN 600V, 빠른 턴 온/턴 오프 최적화
EiceDRIVER, 턴 온으로부터 GaN 스위치 보호

인피니언 테크놀로지스가 20일, 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER IC 제품을 출시한다고 밝혔다.  
더 높은 전력 밀도를 제공하는 이 제품들은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영 비용을 낮춘다. CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 출시함으로써 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하게 됐다. 

CoolGaN 600V e-mode HEMT  
CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수 있는 ‘normally-off’ 콘셉트로 설계되어 빠른 턴 온 및 턴 오프에 최적화되었다. SMPS의 높은 효율과 전력 밀도를 가능하게 하며, 현재 출시된 모든 600V 디바이스 제품 중 최고의 FOM(figures of merit)을 제공한다.  

게이트 전하가 낮고 역 전도 시 동적 성능이 뛰어난 CoolGaN 스위치는 높은 주파수 동작이 가능하고 수동 소자의 크기를 줄여 전력 밀도를 향상시킨다.  
CoolGaN 600V e-mode HEMT는 최상의 PFC 효율(2.5kW PFC로 99.3퍼센트 이상)과 동일한 효율로 훨씬 높은 밀도(3.6kW LLC 98퍼센트 이상 효율에 160W/in3 이상)를 달성한다. 선형 출력 커패시턴스는 공진 토폴로지에서 데드 타임을 8~10배 줄일 수 있다. 

CoolGaN 600V 스위치는 SMD 패키지로 70mΩ 과 190mΩ 제품을 제공하며 열 성능이 뛰어나고 기생 성분이 낮다. 다양한 SMD 패키지로 제공되므로 엔터프라이즈 및 하이퍼스케일 데이터 센터 서버, 텔레콤 정류기, 어댑터, 충전기, SMPS, 무선 충전 등의 애플리케이션에서 고주파수 동작을 지원한다.  

GaN EiceDRIVER IC  
인피니언의 EiceDRIVER IC 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H는 CoolGaN e-mode HEMT와 함께 사용하기 적합하다. 이 제품들은 CoolGaN 스위치 동작을 보장하도록 개발되어 고객의 개발 업무를 최소화하고 시장 출시 기간을 줄여준다.  

전력 MOSFET 용 게이트 드라이버 IC와 달리, 인피니언의 CoolGaN 전용 게이트 드라이버 IC는 음의 출력 전압을 제공하여 GaN 스위치를 빠르게 턴 오프 한다. 스위치를 턴 오프 하는 시간 간격에 GaN EiceDRIVER IC가 게이트 전압을 0으로 확실하게 유지한다. 따라서 과도한 턴 온(첫 번째 펄스에 대해서도)으로부터 GaN 스위치를 보호하며, 이는 SMPS 동작에 필수적이다.  

GaN 게이트 드라이버 IC는 듀티 사이클이나 스위칭 속도에 상관없이 일정한 GaN HEMT 스위칭 슬루율(slew rate)을 유지한다. 그러므로 견고한 동작과 높은 전력 효율을 달성하며 개발 시간을 단축할 수 있다. 갈바닉 절연 기능을 통합하여 하드 및 소프트 스위칭 애플리케이션의 강건성을 높인 GaN 게이트 드라이버 IC는 SMPS의 일차 및 이차 측과 전원 스테이지와 로직 스테이지 사이에 보호 기능을 제공한다.  

GaN EiceDRIVER 1EDF5673K는 13핀 LGA 5mm x 5mm, 1EDF5673F는 16핀 DSO 15 mil, 1EDS5663H는 16핀 DSO 300 mil 패키지로 제공된다.  

CoolGaN 600V e-mode HEMT는 현재 공급을 시작했으며 실리콘 기반의 GaN EiceDRIVER IC는 사전 주문이 가능하다.