| SiC 기술 효율성 및 전력 밀도 수요 증가하고 있어… 이에 700V MOSFET과 700V/1200V SBD로 고객 선택 범위 확대
 
마이크로칩 테크놀로지는 17일, 자회사인 마이크로세미(Microsemi)를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공하는 실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스 제품군을 출시했다고 밝혔다.

이번 SiC 디바이스는 마이크로칩의 폭넓은 MCU와 아날로그 솔루션과 더불어 시장에서 빠르게 성장하는 전기차(EV) 및 다른 고전력 애플리케이션에 요구되는 신뢰성 높은 SiC 제품군의 일부로 개발되었다.
 
마이크로칩의 기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1200V 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky Barried Diode; SBD)다.
 
새 SiC MOSFET과 SBD는 더 높은 주파수에서 더 효율적인 스위칭이 가능하고, 장기적인 신뢰성 보장을 위해 필수적인 수준에서의 견고성 테스트를 통과한다.
 
디바이스가 애벌런치(Avalanche) 조건에서 성능 저하나 초기 장애를 얼마나 잘 견뎌내는지를 측정하는 UIS(Unclamped Inductive Switching) 견고성 테스트에서 마이크로칩의 SiC SBD는 다른 SiC 다이오드 대비 약 20% 더 높은 성능을 보여 준다. 애벌런치 조건은 전압 스파이크가 디바이스의 항복 전압을 초과하는 경우에 발생한다.
 
마이크로칩의 SiC MOSFET 역시 이와 같은 견고성 테스트에서 다른 제품을 능가하는 성능을 보여 준다. 반복 UIS(RUIS) 테스트를 10만 회 수행한 후에도 파라미터 상 전체적인 성능 저하가 거의 나타나지 않아 우수한 게이트 산화물 차폐성 및 채널 무결성을 증명했다.
 
이 제품은 외부 충전소, 탑재형 충전기, DC-DC 컨버터 및 파워트레인/트랙션 컨트롤 솔루션 등 급증하는 EV 시스템에 이상적이다.
 
새로운 SiC 디바이스는 고객이 필요로 하는 한 디바이스를 계속 생산할 수 있도록 보장하는 마이크로칩의 고객 중심 제품 단종 정책에 의해 지원된다.
 
마이크로칩의 확장된 SiC 포트폴리오는 다양한 실리콘 카바이드 SPICE 모델, SiC 드라이버 보드 레퍼런스 디자인, 비엔나 PFC(역률 교정) 레퍼런스 디자인 등의 지원을 받는다.
 
마이크로칩의 SiC 제품은 관련 지원 상품과 함께 양산되고 있다. SiC MOSFET 및 SiC 다이오드용 다이 및 패키지 옵션도 다양하게 지원하고 있다.

마이크로칩 디스크리트 및 전력 관리 사업부의 리치 사이몬식(Rich Simoncic) 수석 부사장은 “SiC 기술의 발전과 채택이 이미 가속화된 현재, 마이크로칩은 이 시장에서 오랜 역사를 갖고 있을 뿐 아니라 이들 제품에 대한 수요 증가에 지속적으로 부응하고자 글로벌 공급량 확보에 선도적 역할을 수행하는데 매진하고 있다”고 밝혔다.
 
그러면서 “마이크로칩은 고객이 개발 프로그램을 실행하고 확장하는 데 필요한 탄탄한 지원 인프라와 공급망을 바탕으로, 신뢰성 높은 제품들에 기반을 둔 포트폴리오를 구축하고 있다”고 덧붙였다.