“GaN(갈륨 나이트라이드)은 높은 스위칭 주파수로 작동되기 때문에 수동 부품 선택이 중요하다”

마우저 일렉트로닉스가 아나로그디바이스(ADI)와 번스(Bourns)와 협력해 새로운 전자책을 발간했다. 이 전자책은 질화갈륨(GaN) 기술의 효율성과 성능, 지속가능성 측면에서의 이점과 도전 과제를 탐구했다.

전자책 ‘10명의 전문가들이 제시하는 GaN 기술에 대한 고찰’은 GaN 기술이 전력전자 분야에 혁신을 일으키고 있는 방식을 설명한다.

GaN 기술은 실리콘보다 더 높은 효율, 빠른 스위칭 속도, 뛰어난 전력 밀도를 제공한다.

이는 자동차, 산업 애플리케이션, 소비가전 제품 및 재생에너지 등 다양한 분야에 영향을 미치고 있다.

ADI의 LTC7890/1 동기식 스텝다운 컨트롤러는 최대 100V의 입력 전압에서 N-채널 동기식 GaN FET 전력단을 구동한다.

이 디바이스는 보호 다이오드나 추가 부품이 필요 없어 설계를 간소화한다. LT8418은 100V 하프-브리지 GaN 드라이버로, 분할된 게이트 드라이버를 통해 GaN FET의 턴온 및 턴오프 슬루율을 조정한다. 이를 통해 링잉을 억제하고 EMI 성능을 최적화한다.

GaN 기술은 높은 스위칭 주파수로 동작하기 때문에 수동 부품 선택이 중요하다. 번스는 PQ 평면 전력 인덕터, CWP3230A 칩 인덕터, TLVR1105T TLVR 인덕터 등을 제공한다.

이들 디바이스는 낮은 인덕턴스와 높은 정격 전류, 방사를 낮추기 위한 차폐 구조를 갖추고 있다.

또한 번스의 HCTSM150102HL 트랜스포머는 강화된 절연 기능과 높은 내전압 특성을 제공한다.

이번 전자책은 ADI와 번스의 GaN 관련 제품들도 소개한다. 전문가들은 GaN 기술의 장점과 초보 GaN 설계자가 직면할 도전 과제, 실리콘에서 GaN으로 전환하는 방법 등을 설명한다.

새로운 전자책은 마우저 일렉트로닉스 웹사이트에서 확인할 수 있다. 마우저는 다양한 최신 반도체와 전자부품을 공급하며, 고객은 100% 정품을 구매할 수 있다. 웹사이트에서는 광범위한 기술 지원 라이브러리를 제공하고, 최신 정보를 얻을 수 있는 무료 전자 뉴스레터를 제공한다.