로옴, 반도체 퓨즈 BV2Hx045EFU-C 공개
단일 디바이스만으로 돌입전류와 함께
정상 전류 과전류로부터 시스템 보호


로옴은 5일, 전장에 탑재되는 전자제어유닛(Electronic Control Unit; ECU)용 하이사이드(High-side) 인텔리전트 파워 디바이스(Intelligent Power Device; IPD)인 BV2Hx045EFU-C를 개발했다고 밝혔다.

IPD는 전자 회로를 전기적 파괴, 즉 과전류로부터 보호할 수 있는 디바이스다. 기존에 채용되었던 퓨즈와는 달리 반도체 기술로 파괴와 열화 없이 회로를 보호할 수 있어 반도체 퓨즈라 불리며, 유지보수가 필요 없는 시스템 구축에 사용할 수 있다.

BV2Hx045EFU-C는 단일 디바이스로 돌입전류와 정상 전류의 과전류로부터 시스템을 보호할 수 있어 안정적으로 시스템을 구동시킬 수 있다. 또한, 과전류 등의 이상 발생 시에는 MCU로 오류 신호를 발신할 수 있어 시스템 기능 안전 구축에도 기여한다.

과전류 보호 범위를 외장 콘덴서와 저항기의 정수를 변경하는 것으로 조정이 가능해 다양한 시스템에서 사용할 수 있다. BV2HC045EFU-C와 BV2HD045EFU-C는 지난 6월부터 샘플 출하를 했으며, 2020년 1월부터 월 100만 개 생산 체제로 양산을 개시할 예정이다.