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TI, 미국 유타주 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장 착공

기사입력 2023.11.06 09:44

▲TI 미국 유타주 리하이 공장(팹) 착공식(사진:TI)
 
TI, 새로운 300mm 웨이퍼 팹 착공식 개최
2026년 아날로그 칩·프로세싱 칩 생산 예정

텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다고 6일 밝혔다.

하비브 일란(Haviv Ilan) TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사를 비롯한 지역사회 주요 관계자들이 참석한 가운데 새로운 팹인 LFAB2의 착공식이 진행됐다. LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합해 운영될 예정이다. 두개의 TI 유타주 팹이 완공된 후에는 매일 수천만 개의 아날로그 칩과 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

일란 CEO는 “오늘 TI는 이곳 유타주에서 제조 역량을 한층 더 강화하는 중요한 발걸음을 내디뎠다”며 “이번에 신설되는 팹은 고객들의 수요에 대응하고 자체 제조 역량을 구축하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일환”이라고 설명했다.

또한 그는 “TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품에 기여하길 바란다”며 “유타주 지역사회의 성장하는 일원으로서 오늘날 대부분의 모든 전자 시스템에 필수적인 아날로그 및 임베디드 프로세싱 반도체를 제조하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”고 말했다.

TI는 지난 2월에 유타주에 110억 달러 투자 계획을 발표했으며, 이는 유타주 역사상 최대 규모의 경제 투자에 해당한다. LFAB2 건설로 약 800개의 TI 임직원 고용 효과 및 수천 개의 간접적인 일자리가 창출될 것으로 전망되며, 이르면 2026년에 첫 생산이 가능할 것으로 예상된다.
 

▲유타주 리하이에 구축될 TI의 두번째 300mm 반도체 웨이퍼 팹의 렌더링 이미지(이미지:TI)

LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 LFAB1, 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리처드슨의 RFAB1 및 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300mm 웨이퍼 팹을 보완하는 역할을 하게 된다. 또, TI는 텍사스주 셔먼에 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹(SM1, SM2, SM3, SM4)을 건설 중이며, 이르면 2025년에 첫 번째 팹이 첫 생산을 시작할 예정이다.

TI의 생산 확대를 위한 투자는 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act) 지원이 기반될 것으로 보인다. 이를 통해 TI는 아날로그 및 임베디드 제품의 안정적인 공급을 보장했다.

스펜서 콕스 유타주 주지사는 “TI가 유타주에서 제조 역량을 확장함으로써 핵심적인 기술을 제조할 수 있는 수백 개의 일자리를 창출하는 등 유타주를 혁신적으로 변화시는 데 도움을 줄 것”이라며, “유타주의 주민들이 유타에서 생산할 반도체로 미국 경제와 국가 안보의 근간이 되는 혁신 동력의 역할을 다하게 되어 자랑스럽다”고 말했다.

한편, TI는 교육 분야에 대한 약속의 일환으로 알파인 학군에 9백만 달러를 투자해 모든 학생들을 위한 유타주 최초의 과학, 기술, 공학 및 수학(STEM) 학습 커뮤니티를 개발할 예정이다. 이 프로그램은 학군의 8만 5천명의 학생들을 위한 교과과정에 STEM 개념을 더욱 심도 있게 다루는 한편, 교사와 관리자를 위한 STEM 중심의 전문성 개발 기회를 제공한다. 이번 TI와의 파트너십을 통해 이공계 계열의 주요 역량을 기반으로 IT 기술 분야 진로를 준비가 가능할 것으로 기대됐다.
 
또한 TI는 책임감 있고 지속 가능한 제조 공정을 지속적으로 추구해 오고 있다. LFAB2는 100% 재생 가능한 전기로 전력을 공급하고 구동되는 것을 목표로 하고 있다. LFAB2의 첨단 300mm 장비와 공정은 폐기물과 물, 에너지 소비는 줄이고, 리하이에 위치한 TI의 기존 팹보다 거의 두 배에 달하는 양의 물을 재활용할 것으로 예상된다.
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