2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트 거쳐
드라이버 및 보호 기능 통합 고전압 GaN FET
산업용 및 통신 애플리케이션 전력 밀도 두 배로

텍사스 인스트루먼트(TI)는 10월 31일, 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다.  

개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신 및 개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 FET(Field-Effect Transistors)보다 더 작고 효율적이며, 고성능의 설계가 가능하다.  
TI의 GaN FET 디바이스 제품군은 고유 기능과 보호 기능을 통합하여 고전압 전원 공급 장치 설계를 간소화하면서 시스템 신뢰성을 높이고 성능을 최적화함으로써 기존의 캐스케이드 및 독립형 GaN FET에 대한 지능적인 대안을 제공한다. 이들 제품은 100ns 미만의 전류 제한 및 과열 감지 기능을 통합하고 있어 의도하지 않은 슛 스루 현상으로부터 디바이스를 보호하고 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다. 

LMG3410R050, LMG3410R070 및 LMG3411R070의 주요 기능 및 장점은 다음과 같다. 

먼저 TI의 통합 GaN 전력단은 실리콘 MOSFET에 비해 전력 밀도를 두 배 증가시켰고, 손실은 80% 감소시켰다. 각 디바이스는 고속 1MHz 스위칭 주파수 및 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다. 

다음으로 시스템 신뢰성이 우수하다. 이 포트폴리오는 가속 테스트 및 애플리케이션 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거치면서 검증됐다. 또한, 각 디바이스는 슛 스루 및 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다. 

마지막으로 모든 전력 레벨에 적합한 디바이스다. 포트폴리오의 각 디바이스는 50mΩ 또는 70mΩ의 GaN FET, 드라이버 및 보호 기능을 통합하여 100W 미만에서 10kW의 애플리케이션을 위한 단일 칩 솔루션을 제공한다. 

TI는 11월 13일부터 16일까지 독일 뮌헨에서 개최되는 일렉트로니카 2018(electronica 2018)에서 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 시연한다. TI와 지멘스가 공동 개발해 직접 선보이는 데모는 드라이버 및 보호 기능을 통합한 TI의 LMG3410R050 600V GaN FET를 사용해 99% 효율을 달성하고 기존 실리콘 설계에 비해 최대 30%까지 전력 부품 크기를 줄일 수 있다.  

이들 제품은 8mm x 8mm 분할 패드, QFN(quad flat no-lead) 패키지로 제공되며, 현재 TI store에서 구입할 수 있다.