[2026 전력전자학술대회]최대한 아성코리아 전무, “SiC 기반 고전압 시장 토털 솔루션 제공”
아성코리아는 부품 공급을 넘어 시스템 관점의 기술 지원을 확대하고 있다. 7월13일부터 16일까지 개최된 2026년도 전력전자학술대회에 참가한 아성코리아는 StarPower SiC·IGBT 모듈, MotiveLink 인덕터, FARATRONIC 커패시터, 자체 개발 인…
2026.07.18 by 배종인 기자
ADI, 엔비디아 MGX 기반 AI 데이터센터 800VDC 전원 아키텍처 지원
아나로그디바이스(ADI)가 엔비디아 MGX 아키텍처 기반 AI 데이터센터에 800VDC 전원 구조 적용을 지원하는 전력 기술을 제공하며, AI 데이터센터 전력 인프라 전환에 대응했다.
2026.06.08 by 배종인 기자
프라딥 셰노이(Pradeep Shenoy) TI 컴퓨팅 파워 기술 책임자, “‘800V·GaN·SST’ 랙당 1MW 시대 전력 인프라 가능케 한다”
데이터센터 전력 수요가 AI 확산으로 폭증하며 기존 48V 아키텍처가 한계에 도달했고, 800V DC 기반 구조로의 전환이 요구되고 있다. 800V DC 전환을 위해서는 PSU·IBC·BBU 등 전력 체계 전반의 재설계가 요구되며, GaN·SST 같은 와이드밴드갭 기반…
2026.05.29 by 배종인 기자
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로옴 SiC MOSFET, AI 서버 HVDC 전원용 BBU에 적용
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여…
2026.05.21 by 명세환 기자
ST, 100W급 GaN 컨버터 ‘VIPerGaN’ 2종 출시
ST마이크로일렉트로닉스가 에너지 효율형 가전 및 전자기기를 대상으로 한 100W급 고전압 컨버터 ‘VIPerGaN100W’와 ‘VIPerGaN100WB’를 출시하며, 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 …
2026.05.18 by 배종인 기자
인피니언, 2300V SiC 기반 전력 모듈 출시…고전압 에너지 시스템 효율 개선
인피니언 테크놀로지스가 2300V급 SiC MOSFET을 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 출시하며 고전압 에너지 시스템 시장 대응에 나섰다. 해당 제품은 1500V DC 링크 전압을 지원하고, 스위칭 및 도통 손실을 줄여 효율과 전력 밀도를 동시에 개선하는 것이 특징이…
2026.05.13 by 명세환 기자
“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”
노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitr…
2026.04.28 by 배종인 기자
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김선민 MPS 기술지원 이사, “태양광·풍력·ESS 확산의 시대, 전류 센서 핵심 요소 급부상”
탄소중립으로 인해 태양광, 풍력, ESS가 확산되며, 재생에너지 시스템에서 전류 센서의 중요성이 높아지고 있는 가운데, 재생에너지 시스템에서 전류 센서의 핵심적 역할에 대해 김선민 MPS 기술지원 이사로부터 들어봤다.
2026.02.26 by 편집부
전기연구원, 친환경 절연 소재 성능 한계 돌파…고전압 전력기기 혁신 기대
한국전기연구원(KERI) 절연재료연구센터 유승건 박사팀이 기존 절연 소재인 폴리프로필렌(polypropylene)의 구조적 한계를 극복하고, 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 구현하는 기술을 선보였다.
2026.02.23 by 배종인 기자