240W 시대 USB PD 충전기, 부품 아닌 ‘시스템’으로 설계해야
USB‑C PD가 240W까지 확대되며 충전기는 ‘부품 조합’이 아닌 시스템 설계가 필수로 떠올랐다. 출력에 따라 플라이백·QR‑ZVS·액티브 클램프·PFC+하이브리드 플라이백 등 토폴로지를 달리해야 하며, 고전력밀도 구현을 위해 GaN(CoolGaN)과 OptiMOS…
2026.08.20 by 배종인 기자
‘650V 과잉 설계’ 줄인다…400V SiC, 전력반도체 틈새시장 공략
400V·440V급 인피니언 2세대 CoolSiC MOSFET**은 기존 500~650V 소자를 쓰며 발생하던 ‘과잉 설계’를 줄이고, 실제 요구 전압에 맞춘 라이트 핏 설계를 가능하게 한다. 셀 피치·채널·드리프트 영역을 최적화해 스위칭 손실과 도통 성능을 개선했고…
2026.08.10 by 배종인 기자
온세미, 2분기 매출 16억 달러…전년比 9% 증가
온세미가 AI 데이터센터 수요 확대에 힘입어 2분기 매출 16억 달러를 기록하며 전년 대비 9% 성장했다. 잉여현금흐름은 4억 2,540만 달러로 4배 급증하고 수익성 지표가 동반 개선되며 수익 구조가 뚜렷이 개선됐다. GaN 전력반도체 포트폴리오 가넥서스 출시, Sy…
2026.08.05 by 명세환 기자
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ST, “GaN, 모터 제어 혁신의 핵심 전력반도체로 급부상”
모터 제어 혁신을 이끄는 GaN의 강점에 대해 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics) 에스터 스피탈레(Ester Spitale), 테크니컬 마케팅 매니저와 알베르트 보스카라토(Albert Boscarato), 애플리케이션 랩 매니저가 이야기한다.
2026.07.20 by 편집부
전기연구원, 창립 50주년 전문가 포럼 개최
창립 50주년을 맞은 한국전기연구원(KERI)이 9일 평창에서 개최한 전문가 포럼에 산학연 100여 명이 참석해 AI·에너지 전환 시대의 전력기술 혁신 방향을 논의했다. KERI는 50년간 100조 원 이상의 생산 유발 효과와 15만 명의 고용 창출 성과를 기록했으며,…
2026.07.10 by 배종인 기자
고효율 산업용 드라이브, 전력반도체가 효율 한계 바꾼다
지난 7월7일 e4ds eeWebinar에서 김이규 다보 코퍼레이션 연구위원은 ‘고효율 산업용 드라이브 구현을 위한 설계 솔루션’을 주제로 발표했다. 김이규 연구위원은 이번 발표를 통해 산업용 드라이브가 더 이상 단순한 모터 구동 장치가 아니라 에너지 절감, 디지털화,…
2026.07.08 by 배종인 기자
전기차 고속충전 시대, 전압이 경쟁력…진짜 승자는 SiC 전력반도체
전기차 산업의 경쟁 축이 바뀌고 있다. 한때는 배터리 용량과 주행거리가 시장을 좌우했지만, 이제는 ‘충전 속도’가 핵심 경쟁력으로 부상했다. 소비자들이 전기차를 선택하는 기준이 “얼마나 멀리 가는가”에서 “얼마나 빨리 충전할 수 있는가”로 이동하면서 완성차 업체들은 4…
2026.07.07 by 배종인 기자
인피니언, GaN 특허전 중국발 제약에도 시장 위치 견고
질화갈륨, 이른바 GaN 전력반도체를 둘러싼 인피니언 테크놀로지스(Infineon)와 중국 이노사이언스(Innoscience)의 특허 분쟁이 글로벌 전력반도체 업계의 주요 이슈로 떠올랐다. electronica China 2026 전시장에서 인피니언 제품이 철수된 가운…
2026.07.06 by 배종인 기자
로옴, 650V 내압 IGBT 개발…전기차·산업용 인버터 고효율 설계 지원
로옴이 전기차와 산업기기용 전력반도체 새로운 650V 내압 IGBT를 통해 손실 저감과 신뢰성 향상을 동시에 구현하고, 전동 컴프레서와 인버터 등 응용 분야 확대를 겨냥했다.
2026.06.19 by 배종인 기자
인텔 파운드리, 18A-P 공정 시험 생산 진입
인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 18A 대비 동일 전력에서 성능 9% 향상, 동일 성능에서 전력 18% 절감을 구현한 18A-P 공정의 시험 생산 진입을 발표했다. 듀얼 콘택트 트랜지스터 '파워 부스트'와 다섯 번째 로직 Vt 추가 등으로 성능을 끌어올렸…
2026.06.17 by 배종인 기자
온세미, GaN 전력 제품군 ‘GaNEXUS’ 출시…AI 데이터센터 전력 효율 겨냥
온세미가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 제품군 ‘GaNEXUS’를 출시하고 AI 데이터센터와 산업 자동화 시장 공략을 강화한다. 새 제품군은 40V~650V 전압 범위의 GaN FET와 스마트 650V GaN FET로 구성되며, 빠른 스위칭 속도와 낮은 손실, 높은 전력…
2026.06.11 by 명세환 기자
로옴, 48V 전장 시스템 겨냥한 차량용 MOSFET 양산
로옴이 차량용 48V 전원 시스템에 대응하는 80V 내압 MOSFET ‘AG16xFNxx 시리즈’를 개발하고 양산에 들어갔다. 이 제품은 HPLF5060과 DFN3333 패키지를 적용해 기존 TO-252 패키지 대비 크기를 줄였으며, 구리 클립 본딩 구조로 방열 성능을…
2026.05.28 by 명세환 기자
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GaN 전력반도체, 고효율 전력 시스템 핵심 기술 부상
전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. 디지털 전력 시스템과 AI 인프라 확대로 전력 효율 개선 요구가 커지는 가운데, 회로 설계 환경에서는 GaN 소자의 구조와 활용 방식에 대한 비교 분석도 이…
2026.05.27 by 배종인 기자
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ST, 700V GaN 전력반도체 출시…AI 서버·로보틱스 전력 효율 겨냥
ST마이크로일렉트로닉스가 AI 서버, 로보틱스, 산업용 전원공급장치, 스마트그리드 등에 적용할 수 있는 700V급 PowerGaN 전력반도체를 출시했다. 신규 제품군은 6A~29A 전류 정격과 53mΩ~270mΩ 수준의 RDS(on)을 제공하는 7종의 GaN HEMT로…
2026.05.27 by 명세환 기자
인피니언, 양방향 GaN 스위치 확대…휴대기기 전원회로 소형화 겨냥
인피니언이 휴대용 전자기기 전원 회로의 소형화를 겨냥해 CoolGaN BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군을 확대했다. 신제품은 기존 백투백 실리콘 MOSFET 구성을 단일 부품으로 대체해 PCB 면적과 부품 수를 줄이는 데 초점을 맞췄다. 스마트폰, 노트북, 웨어…
2026.05.26 by 명세환 기자