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‘650V 과잉 설계’ 줄인다…400V SiC, 전력반도체 틈새시장 공략
400V·440V급 인피니언 2세대 CoolSiC MOSFET**은 기존 500~650V 소자를 쓰며 발생하던 ‘과잉 설계’를 줄이고, 실제 요구 전압에 맞춘 라이트 핏 설계를 가능하게 한다. 셀 피치·채널·드리프트 영역을 최적화해 스위칭 손실과 도통 성능을 개선했고…
2026.08.10 by 배종인 기자
400V·440V급 인피니언 2세대 CoolSiC MOSFET**은 기존 500~650V 소자를 쓰며 발생하던 ‘과잉 설계’를 줄이고, 실제 요구 전압에 맞춘 라이트 핏 설계를 가능하게 한다. 셀 피치·채널·드리프트 영역을 최적화해 스위칭 손실과 도통 성능을 개선했고…
2026.08.10 by 배종인 기자