2026년 08월 28일(금)
Techday
웨비나

자동차용 전력 분야 설계자들을 위한 MOSFET 특성 이해와 인피니언 MOSFET의 신뢰성 소개

2020.07.14 10:30~12:00 문창수 상무 / Infineon

  • 장종윤2020-07-14T10:48:33.780Z

    Inrush Current 제한하기 위한 Application 없을까요.. 이값을 늘리니 Rds 때문에 FET가 죽어서요.

  • 2020-07-14T10:50:22.810Z

    FET는 스위치이기 때문에 Inrush current를 제한 하기 어렵습니다. Inrush current는 시간이 짧으므로 SOA 영역을 계산해야합니다.

  • 이상혁2020-07-14T10:47:30.897Z

    스위치 정격 전압이 높을수록 가격이 비싼 이유에 대해 문의 드립니다.

  • 2020-07-14T10:48:33.033Z

    FET는 내압이 따라 Rdson 이 크게 증가하므로, Rds(on)을 줄이기 위해서는 Die를 크게 만들어야 하므로 가격이 비쌉니다.

  • 최연수2020-07-14T10:47:13.343Z

    Id 관련하여, 최대 전류가 package로 인한것인지, die로 인한 계산 값인지 빠르게 확인하는 방법은 무엇인지요?

  • 2020-07-14T11:05:05.607Z

    Tj=Tc + Id * Rthjc의 식으로 계산해 보면 됩니다.

  • 이상혁2020-07-14T10:46:57.517Z

    일반적으로 MOSFET은 100kHz 스위칭, IGBT는 20kHZ 스위칭 합니다.

  • 윤동열2020-07-14T10:45:11.007Z

    더 높은 전류를 컨트롤 하기 위해서 2-3개를 병렬로 사용이 가능한지요?

  • 2020-07-14T10:46:05.343Z

    병렬 사용 가능합니다. 게이트 pattern loop 이 각 FET와 균일하게 배치해야할 필요가 있습니다.

  • 김일용2020-07-14T10:44:56.990Z

    [질문] 스위칭 주파수는 IGBT가 MOSFET보다 느린지요? 저주파에서 IGBT가 유리하다고 하셔서 질문 드립니다.

  • 2020-07-14T10:45:21.077Z

    IGBT가 느립니다.

  • 김민종2020-07-14T10:43:27.630Z

    FET에 R_th_j-c만 있을때, R_th_j-a 를 구하는 방법이 있나요 ??

  • 2020-07-14T10:44:08.113Z

    Rthja는 사용자 조건이라 사용자가 열해석 시뮬레이션을 통해 구해야 합니다.

  • 이신우2020-07-14T10:43:08.873Z

    Pulsed drain current 는 Pulse time이 몇 초 일때를 maximum rating에 표기 한건가요?

  • 2020-07-14T10:45:02.213Z

    Pulse timed은 정해져 있지 않습니다. 손실과 과도열저항 값에의해 시간이 결정됩니다.

  • 이상혁2020-07-14T10:42:26.847Z

    케이스가 스위치 소자 표면을 말하는 것인가요?

  • 2020-07-14T10:43:32.260Z

    케이스는 뒷면의 Drain 금속면을 말합니다.

  • 김일용2020-07-14T10:41:22.927Z

    [질문] 내부저항은 IGBT와 MOSFET 중에 어떤 것이 큰지요?

  • 2020-07-14T10:42:24.997Z

    전류 용량의 사용 영역에 따라 다릅니다. 일반적으로 600V 이상, 저 주파수에서는 IGBT가 좋습니다.
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