인피니언, AI 서버용 27kW 3상 PSU 솔루션 출시
인피니언이 AI 서버용 27kW 3상 전원공급장치 레퍼런스 디자인을 출시했다. CoolSiC MOSFET, PSOC 마이크로컨트롤러 등 자사 부품을 통합해 116W/in³의 전력 밀도와 98% 이상의 피크 효율을 동시에 구현했다. OCP Open Rack V3 규격을 …
2026.10.12 by 배종인 기자
AI가 바꾼 전력반도체 지도, 전기차에서 데이터센터로 무게중심 이동
전력반도체 수요가 전기차 중심에서 AI 데이터센터·AI 서버로 빠르게 이동하고 있다. AI 서버의 전력 소모 증가로 고효율 GaN 솔루션 경쟁이 치열해졌으며, 인피니언·온세미·TI 등이 고밀도·집적형 제품을 출시했다. 반면 전기차 분야에서는 800V 플랫폼 확대로 Si…
2026.10.06 by 배종인 기자
[e4ds Tech Day 2026 ⑥]신동주 모빌린트 대표, “피지컬 AI 시대 승자는 GPU 아닌 AI SoC”
‘e4ds Tech Day 2026’ 기조연설에서 신동주 모빌린티 대표이사는 AI 연산이 GPU 중심에서 AI SoC·NPU 중심으로 이동하고 있다며 생성형 AI 확산으로 추론(Inference) 비중이 급증하며, 2027년엔 전체 AI 연산의 67%를 차지할 것으로 …
2026.10.02 by 배종인 기자
레노버, 타임지 ‘2026 세계 최고의 기업’ 51위 첫 선정
Lenovo가 TIME지와 Statista가 공동 발표한 ‘2026 세계 최고의 기업’ 순위에 처음 선정되어 51위를 기록했다. AI 서버 사업 확대와 AI 인프라 수요 증가를 배경으로 FY2526 매출 831억 달러의 사상 최고 실적을 달성했으며, AI 관련 매출이 …
2026.09.21 by 배종인 기자
마우저, 온세미 가넥서스 GaN FET 공급 개시
마우저 일렉트로닉스가 온세미의 GaNEXUS GaN FET 공급을 시작한다. 40V~650V 전압 범위를 지원하는 이 제품은 고속 스위칭과 높은 전력 밀도로 AI 서버, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스 등 다양한 애플리케이션을 대응한다. 와이드 밴드갭 특성을 활용해…
2026.09.11 by 배종인 기자
삼성전자, PCIe 6.0 기반 기업용 SSD PM1763 양산 돌입
삼성전자가 PCIe 6.0 기반 기업용 SSD ‘PM1763’의 양산을 시작했다. 9세대 V낸드와 4나노 공정 컨트롤러를 탑재해 전작 대비 읽기·쓰기 속도를 2배 향상시키고 전력 효율을 1.8배 개선했으며, LLM 40GB 모델을 1.4초에 전송할 수 있다. D2C 액…
2026.07.08 by 배종인 기자
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ST, 700V GaN 전력반도체 출시…AI 서버·로보틱스 전력 효율 겨냥
ST마이크로일렉트로닉스가 AI 서버, 로보틱스, 산업용 전원공급장치, 스마트그리드 등에 적용할 수 있는 700V급 PowerGaN 전력반도체를 출시했다. 신규 제품군은 6A~29A 전류 정격과 53mΩ~270mΩ 수준의 RDS(on)을 제공하는 7종의 GaN HEMT로…
2026.05.27 by 명세환 기자
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로옴 SiC MOSFET, AI 서버 HVDC 전원용 BBU에 적용
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여…
2026.05.21 by 명세환 기자
아이브이웍스, 60억 IPO 성공…성장 가속 페달
전력반도체 소재 전문 스타트업 아이브이웍스가 60억원 규모의 프리 IPO를 마치며 누적 투자금 450억원을 확보해 양산 확대와 코스닥 상장을 본격 추진한다.
2026.04.02 by 배종인 기자
로옴, 10Gbps 이상 고속 인터페이스 대응 ESD 보호 다이오드 출시
반도체 전문 기업 로옴(ROHM)이 10Gbps를 넘어서는 차세대 고속 데이터 통신 환경에 대응할 수 있는 ESD(정전기 방전) 보호 다이오드 ‘RESDxVx 시리즈’를 개발하며, 고속 인터페이스에서 요구되는 신호 품질 유지와 IC 보호 성능을 동시에 끌어올렸다.
2026.03.26 by 배종인 기자