ST, 가전·산업용 모터 제어용 GaN 레퍼런스 디자인 공개
ST마이크로일렉트로닉스가 가전제품과 산업용 드라이브용 모터 제어를 겨냥한 GaN 기반 레퍼런스 디자인 ‘EVSTDRVG611MC’를 공개했다. 이 보드는 STDRIVEG611 게이트 드라이버, 650V급 GaN HEMT, STM32G431 마이크로컨트롤러를 결합한 3상…
2026.03.30 by 배종인 기자
ST, GaN 전력 IC ‘MasterGaN6’ 출시…충전기·조명·태양광 겨냥
ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표…
2026.03.18 by 배종인 기자
.jpg)
“휴머노이드, 핵심은 모터 제어와 전력 효율”
휴머노이드 로봇 설계의 핵심은 인간과 유사한 외형보다 정밀한 내부 시스템에 있다. 최근 발표한 텍사스인스트루먼트(TI, Texas Instruments)의 기술 자료는 고자유도 모터 제어, GaN 기반 전력 소자를 활용한 고효율·소형화 설계, 고해상도 전류·전압 센싱을…
2026.03.10 by 배종인 기자
.jpg)
태양광·ESS 시장을 겨냥한 모놀리식 양방향 스위치의 진화
재생에너지와 에너지 저장 시스템(ESS) 시장이 빠르게 성장하면서, 전력 변환 효율과 시스템 소형화를 동시에 만족시키는 반도체 기술에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 흐름 속에서 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 선보인 CoolGaN™…
2026.02.26 by 배종인 기자
인피니언, GaN 시장 2030년 30억 달러 전망…AI·로보틱스 적용 확대
인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만…
2026.02.12 by 명세환 기자
TI, “로보틱스 시장 ‘시스템 레벨’ 솔루션 전략 본격화”
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)가 기자간담회를 열고 산업 자동화 및 로보틱스 총괄 지오반니 캄파넬라(Giovanni Campanella)가 직접 방한해 로보틱스 기술 변화와 이에 대응하는 TI의 제품·정책 방향을 공개했다. 캄파넬라 총괄은 …
2026.02.09 by 명세환 기자
‘GaN’, 미래 전력 기술 핵심 축 자리매김…인피니언 중전압 GaN 양방향 스위치·300㎜ 파워 GaN 기술 전력 전자 패러다임 변화 이끌어
인피니언(Infineon Technologies AG)의 중전압 GaN 양방향 스위치(CoolGaN™ BDS 40V G3)와 300㎜ 파워 GaN 기술이 업계에서 ‘게임체인저’로 평가받으며 차세대 전력 시스템의 핵심 축으로 부상하고 있는 것으로 나타났다.
2026.01.05 by 배종인 기자
.jpg)
온세미, 글로벌파운드리와 차세대 GaN 협력
지능형 전력 및 센싱 기술 기업 온세미(onsemi)가 글로벌파운드리(GlobalFoundries)와 200㎜ eMode GaN-on-Si 공정을 기반으로 고성능 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력 제품을 공동 개발·제조하며, AI 데이터센터와 전기차(EV), 재…
2025.12.22 by 배종인 기자
온세미, 이노사이언스와 GaN 전력 포트폴리오 확대…글로벌 제조 역량 강화
지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미가 이노사이언스(Innoscience)와 전략적 MOU를 체결하고, 질화갈륨(GaN) 전력 디바이스 글로벌 제조 역량 강화에 나선다.
2025.12.05 by 배종인 기자
ST, 차세대 GaN 플라이백 컨버터 출시
세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치 등 다양한 애플리케이션을 겨냥한 통합 GaN 플라이백 컨버터 시리즈를 공개하며, 설계 단순화, 무소음 동작, 고효…
2025.11.04 by 배종인 기자
ST, 저전압 GaN 설계 간소화
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, ST)가 산업 및 통신용 전력 변환 애플리케이션에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 신제품 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시하며, 저전압 GaN 설계를…
2025.10.27 by 배종인 기자
인피니언, 업계 최초 자동차 등급 100V GaN 트랜지스터 출시…전기차·SDV 시장 공략 가속화
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)가 AEC-Q101 인증을 획득한 자동차 등급의 100V GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다. 이번에 양산을 시작한 ‘CoolGaN™ 100V G1’ 제품군은 고전압(HV) 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함하며, 전기…
2025.10.16 by 배종인 기자
Imec, 300㎜ GaN 프로그램 출범
세계적인 나노전자 및 디지털 기술 연구기관 Imec이 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨)의 300㎜ 웨이퍼 전환을 통해 첨단 전력 전자 소자 개발 및 제조 비용 절감에 본격 나선다. 이번 프로그램은 저전압부터 고전압까지 다양한 전력 전자 애플리케이션을 지원하며, 웨이퍼…
2025.10.13 by 배종인 기자
[2025 e4ds Tech Day]“GaN 반도체 후발주자지만 기술적 한계 극복하며 빠르게 발전”
한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. …
2025.09.30 by 배종인 기자
.jpg)
[2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, …
2025.09.29 by 배종인 기자