400V·440V급 인피니언 2세대 CoolSiC MOSFET**은 기존 500~650V 소자를 쓰며 발생하던 ‘과잉 설계’를 줄이고, 실제 요구 전압에 맞춘 라이트 핏 설계를 가능하게 한다. 셀 피치·채널·드리프트 영역을 최적화해 스위칭 손실과 도통 성능을 개선했고, 온저항 온도 의존성도 낮다. 특히 3레벨 플라잉 커패시터 구조에서 효율 향상과 인덕터 소형화 효과가 크며, PFC·벅 컨버터 시험에서도 높은 효율을 보였다. 다만 3레벨 회로는 커패시터 밸런싱, 추가 제어·보호 설계가 필요해 전체 비용 대비 효율·전력밀도 이점이 시장 확산의 관건이 된다.