리튬이온 배터리 차저(Li-Ion Battery Charger)와 TI 충전 제품군 소개
정*수 : TI 차저 칩중에 리니어 타입중 일반형과 SOLOR 용으로 나온게 있던데, 차이가 뭔가요?
: Solar cell의 output 은 일정하지 않아서 input DPM 기능 및MPPT(Maximum Power Point Tracking) 기능등이 별도로 지원되는 charger를 사용하시는 것이 좋습니다
김*훈 : 만충 전압에 도달했을때 바로 입력을 차단하지 않고 전류가 어느정도 감소한다음 입력을 차단하는 이유는 무엇인가요?
: 충전을 더 많이 하기 위해서입니다. CC구간만 충전하시면 실제 용량에 많이 부족하게 충전이 됩니다.
Arria 10 dev kit으로 PCI express 완전 정복
한*남 : Reference Board및 참고 자료 요청드립니다
: Arria 10 reference board는 https://www.altera.com/products/boards_and_kits/dev-kits/altera/kit-a10-gx-fpga.html 링크에서 확인하실 수 있으며, 참고하실만한 link로써 https://www.altera.com/products/intellectual-property/ip/interface-protocols/m-pci-express-protocol.html 가 있습니다.
: EMIF IP를 사용할려면 메모리를 FPGA dedicate pin에 연결해야 하나요? 그리고 SSTL 인터페이스 사용시 Vref 전원이 필요한지요?
: 네 dedicate된 pin에 연결을 해야 하며 Vref 전원이 필요합니다. Vref는 Vref pin에 할당 하시면 됩니다.
남*식 : Altera에서 SoC 시리즈를 내놓고 있는데, 만약 이런 솔루션을 이용하면 Micom과 PCIe interface를 하나의 보드에 구현할 수 있는 것인가요?
: Altera의 SoC FPGA는 ARM이 host가 되는 RootPort 와 , device처럼 동작하는 endpoint가 지원되므로 어떤 구성이든 가능하오며, 말씀하신 single board구성도 가능하실것으로 생각합니다.
송*용 : 알테라의 arria 제품도 메모리를 제어를 쉽게 하기 위해서 x사의 MCB(Memory Control Block) 같은 형태로 간단히 메모리를 제어 할수 있는 블럭이 내장되어 있는지요?
: 네 Altera에서는 EMIF라는 IP를 사용하시면 간단히 메모리를 제어할수 있습니다.
: DDR3 DDR4의 DQBus에 SSTL15와 CTTPOD12의 차이는 뭔가요?
: 크게는 전기적으로 1.5에서 1.2V IO power로 낮아진 I/O standard 입니다. 그밖에 termination value등이 약간 차이가 있습니다. 어쨌든, SSTL 보다 power나 speed 면에서 우수하다고 보시면 됩니다.
김*환 : 디바이스 드라이버를 사용하게 되면 FPGA구현상 어려운 부분 중 하나인 타이밍 맞추는 문제는 거의 없다고 봐도 되나요??
: Hard IP를 사용하게 되면 IP 내의 Timing에 대한 문제는 없다고 보셔도 됩니다.
안*수 : PCIe의 Debugging등을 위하여 PCie의 Sate의 상태를 볼 수 있는 기능도 제공하는지요?
: PCIe IP에 대한 debug정보와 LTSSM정보가 제공됩니다.
김*기 : 병렬처리에 사용하려 하는데, 현재 가장 중요한게 성능대비 소비전력입니다.그 부분에 대해 설명해주세요.
: 디바이스 전체적인 소비 전력은 각 디바이스의 용량과, 동작 속도등 적용된는 변수들이 많이 있습니다. 다만 기준이 될 수 있는 부분은 Transceiver channel당 약 200mW정도 소비된다고 보시면 됩니다.
김*중 : PCIe HardIP를 지원하는 디바이스는 어떤것이 있나요?
: Max 10를 제외한 모든 Altera device는 PCIe를 지원합니다.
김*중 : Protocol Stack의 커스터마이징도 가능한가요?
: TLP packet를 직접 핸들링하시는 것을 말씀하시는지요? Avalon-ST를 통해 직접 protocol을 handling하는 것은 가능합니다.
전력 반도체 및 전력 소자 측정을 위한 솔루션
이*윤 : 글로 전달하다보니 오해가 있는거 같네요. 제가 말씀드리려고 한것은 IV curve 측정시 입력된 pulse 전력에 따라 온도가 변하게 되어 화면으로 표시되는 값이 다르게 될것으로 판단되는데. 이 값이 370,371과 비교했을때 얼마나 차이가 있는것인지 문의드린것입니다. 제가 의미전달에서 혼동을 드렸나봅니다.
: 아~ 이해했습니다. 제가 혹시나 하는 맘에 걱정이 앞섰네요. 말씀하신 부분이 전력 소자에서는 특히나 중요한 부분이 맞지요. 해당 제품의 특성에 대해서는 정확히 인지를 못하고 있어서 저희 제품 기준으로만 말씀을 드리자면, 말씀하신 열 문제로 인한 특성 변화를 확인하기 위해 Pulse width를 조절할 수 있습니다. 약 50us ~ 정도의 pulse width 전력을 이용할 수 있다보니 열에 의한 특성 변화를 확인이 가능하지 않을까 합니다. 사실 어느 정도 영향을 받는지는 pulse 인가 후 측정해서 비교해 보는 게 가장 좋지 않을까 합니다.
김*수 : 측정된 Data는 어떤 Format을 지원하며, PC에서 분석가능한 Software도 제공이 되는지 알고 싶습니다
: 측정된 data는 csv,text, png등 기본적인 firmat은다 지원되며, data sheet형식으로 data를 저장할 수 있습니다. PC에서 분석가능한 software로 EasyExpert 프로그램을 제공합니다.
이*윤 : 저희의 경우 오실로스코프를 사용하여 측정을 하고 있습니다. 이것과 비교했을때 정확도는 어느정도 인지 알 수 있을까요?
: 저전류의 경우 오실로스코프 보다 높은 해상도를 가지고 있습니다. 현재 보여지고 있는 오실로스코프 뷰는 실제 스코프 보다 샘플링 속도가 떨어집니다.
: FET측정시 SMU 하나로 전환해가면서 측정하면 어떤 문제가 있나요?
: FET를 측정 하려면 3 터미널인지 4터미널인지에 따라 SMU 갯수가 달라지게 됩니다. 3터미널 기준의 경우 2개의 SMU가 필요하게 되고 전환해 가면서 측정을 해도 문제가 발생하진 않습니다.
이*우 : 측정하는 프로브에 대한 정전용량의 CAP 값이 있을 텐데 실제 데이터와의 오차는 어떻게 되는지요?
: 일반적으로 probe끝단까지는 calibration 후 측정하기 때문에 프로브에 대한 오차는 제거된다고 생각하시면 됩니다.
: DUT 대상장치의 자체 발열 영향을 최소화하여 실제 동작 특성 파악이 가능한가요?
: B1506A에는 픽스쳐가 제공되고 발열을 최소화 하기 위해 펄스를 이용하여 측정하게 되며, 이 부분에 대해 뒤쪽 슬라이드에 나와 있습니다.
정*수 : 소자 단독으로만 측정 가능한가요? 보드에 장착된 상태에서도 가능한가요?
: 소자 단독입니다. 보드에 장착된 상태로는 측정이 쉽지 않습니다.
백*한 : 파워반도체 모듈의 특성 측정에도 사용이 가능한가요?
: 파워 반도체라고 말씀 하신다면, 혹, IGBT ,power mosfet 과 같은 소자를 말씀 하시는 건가요? 그렇다면 가능합니다.